(서울=연합인포맥스)김경림기자=차세대고대역폭메모리HBM(HBM3E)시장을두고SK하이닉스와삼성전자의신경전이치열하다.
▲美국채10년물4.2970%(-3.20bp)
코스닥지수는2.57포인트(0.29%)내린891.91에거래를마쳤다.
월스트리트저널(WSJ)이집계한바에따르면전문가들은원유재고가120만배럴줄었을것으로예상했다.
삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
※1차관,채소산지현장방문(11:30)
유병희단장은"신성장프로젝트에포함된AI분야핵심과제들을실효성있게추진해국산AI반도체의실증레퍼런스를조기에확보하고,이를토대로국산AI반도체가국내시장은물론글로벌무대에진출할수있도록지원할것"이라고했다.
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