삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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SK하이닉스는"HBM3에이어현존D램최고성능이구현된HBM3E역시가장먼저고객사에공급하게됐다"며"HBM3E양산도성공적으로진행해AI메모리시장에서의경쟁우위를이어가겠다"고밝혔다.

회의에는산업부,중소벤처기업부,한국해운협회,HMM등관련국적선사등이참석했다.